由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，但是igbt模塊失效常常是因為靜電而導致的柵極擊穿，那么為了避免失效原因的發生，我們在使用中需要注意哪幾點呢?致誠達的小編告訴你!
一、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
二、在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊，盡量在底板良好接地的情況下操作。
三、在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，為防止主回路上加上電壓而造成IGBT就會損壞，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
四、通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
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